水少沙見
漢字表形音義,傳承中國博大精深的文化。許慎,說文解字敘:「沙,水散石也,從水從少,水少沙見」。
沙來自風化與侵蝕後的崩解岩石,搬運這碎屑的自然營力是水和風。在搬運過程中,風化與侵蝕仍持續發生,待營力減弱至不能攜帶時才沈積下來。氣候與地形往往決定營力強弱,營力強弱遂決定搬運碎屑的粒徑大小與路徑長短。河川上游位處山區,山高水急,搬運能力強與風化侵蝕作用旺盛,因而常見較大礫石堆積。待河川進入平原,坡緩水緩,搬運能力降低,礫石大量沈積在河床,沙石則堆在河彎流速慢的地方。最後,海納百川,流速銳減,出海口出現大量沙洲與沙嘴等地形。沙,果真如其字,從河邊到海邊,水少可見沙。

沙繼續搬運至海底沈積,經成岩作用轉為砂岩,再深埋受到壓力與熱就變質為石英岩,續隨地殼隱沒至深處可熔融為岩漿,累積一定壓力,將沿著地殼裂隙上升噴發,急速冷卻的岩漿生成結晶較小或為玻璃質的火山岩。反之停留在地殼裡冷卻的岩漿,形成結晶較大的深成岩。終究不論是沈積岩、變質岩或火成岩,都能經由地殼活動再抬出海面,不斷受到風化與侵蝕,循環如圖一。
沙中乾坤
沙的成分以岩石裡的石英為主。由於地殼含有豐富的氧和矽,兩者化合成的矽酸鹽類礦物如長石、石英、角閃石、輝石、雲母等造岩礦物,就占有地殼物質的96 %,再說石英是二氧化矽排列有序的結晶固體,摩氏硬度七、化學穩定性高而不易風化,因此成了常見的沙粒。

石英發育成良好的六角柱狀單晶,別名水晶。在不同的溫度與壓力下,會以圖二中的各種晶體結構存在,常溫常壓下為α石英(三方晶系),溫度上升的話,轉為β石英(六方晶系)、鱗石英(六方晶系)或方石英(等軸晶系)。高壓下為柯石英(單斜晶系)或斯石英(正方晶系)。晶體依晶軸長與夾角,分成圖三的六大晶系,其中六方與三方晶系的對稱性相似,可簡併為一組。在六大晶系,只有等軸晶系的三晶軸等長與相互夾角皆90度,具有所謂的等向性,意同晶體各方向的物性與化性皆一致,其它晶系則屬異向性。α石英屬於三方晶系,當晶體受到壓力,內部結構會因電荷分布不均,爾後產生電位差;施加電壓便發生形變,此即石英的壓電性,也是打火機得以火花點火,與石英鐘錶能震盪不已的秘密。

多晶質的瑪瑙,視為許多細小石英單晶的組成。非晶質的玻璃與蛋白石遂由排列無序的二氧化矽構成。玻璃是過冷液體,原料為二氧化矽含量高的石英沙,又名矽沙。一般液體低於熔點,容易產生結晶固化,玻璃卻凝固成非結晶,常溫下仍以極緩慢的速度流動,原因在於熔融二氧化矽的黏滯性大,導致分子來不及排列成有序的結構就冷凝。最好的例子就是歷史悠久的哥德式教堂,裡頭的花窗玻璃往往表面不平整與下緣較厚。玻璃除了應用於建材與器皿製作,高科技裡頭也有它的身影,例如:加工纖細像髮絲的玻璃光纖,當光以入射角大於臨界角的方式在其內部傳遞,由光纖進入空氣時的全反射現象就被應用在通訊,這使得光訊號能以近乎無損失的狀態,傳送至相當遠的地方。

蛋白石是由二氧化矽小球堆積成的塊體,內含些許結晶水,無特定晶形。在掃描式電子顯微鏡下,奈米小球呈六方最密堆積,形成介電常數產生週期性變化的光子晶體,當光照在晶體上,某特定波長光會於晶體內無法傳遞而反射,反射光波長隨小球直徑增加而往長波長偏移,亦隨角度不同而變化,加上內部為直徑大小與堆積取向不一的奈米小球,故能呈現豐富色彩。目前科學家正致力於研製特殊三維結構的光子晶體,試圖控制光在晶體的行進方向,以便發展出運算速度優於積體電路的積體光路系統。沒想到,同樣的二氧化矽,卻隨分子排列的不同,而有了圖四的各種結構,也衍伸出各種材料特性與功能。
煉沙成矽
石英沙再經過冶煉後,就是半導體與光電產業使用的矽材料。石英沙和焦炭加熱至攝氏1500到2000度,發生以下的氧化還原反應:SiO2 + 2C→Si + 2CO,生成的多晶矽純度達98%以上,亦稱冶金級矽。假使要製作半導體元件,得將矽純度再提高,先把冶金級矽研磨成粉末,在攝氏300度與氯化氫氣體反應為三氯矽烷,化學方程式如下:Si+ 3HCl→SiHCl3 + H2,此氣體經過濾器、冷凝器以及純化器後,得到純度達0.999999999的三氯矽烷液體,以此液體於高溫下和氫氣產生熱裂解,所得到的多晶矽就是電子級矽。

製造太陽能板的材料幾乎是多晶矽,半導體使用的是單晶矽,其製作過程如圖五,就像一串山楂浸入紅色熔融糖漿中,一邊慢慢旋轉拉起,再置於盤中冷卻成糖葫蘆。首先以攝氏1415度將電子級矽熔融於石英坩鍋中,再把矽單晶棒浸入液態矽作為種晶,溫度控制於熔點以下,如此熔融矽液裡的矽原子便會依照單晶矽的結構排列,佐以緩慢速率旋轉與拉昇,可得單晶矽晶柱,而後經切割、研磨與拋光,就是矽晶圓片。矽之所以成為當代科技寵兒,大量的原物料來源與氧化物為強而穩定的絕緣材為其主因,但更重要的是材料本身的半導體特性。

矽的外層價電子有四,在和週遭原子分享電子後,鍵結成圖六的鑽石結構,價電子軌域在交互作用下形成價電帶,未被價電子佔據的區域就形成導電帶。如價電子欲成為自由電子導電,得從價電帶頂端躍遷至導電帶底部,中間得越過的能量障礙就是能隙,根據此能隙介於導体與絕緣體間,得名半導體。所幸半導體能隙不大,導電率極易受溫度、光照與摻雜原子濃度而改變,舉例來說:矽能隙在300K時僅1.1 eV ( 1 eV = 1.6 × 10-19焦耳),隨著溫度上升,價電子獲得熱能激發至導電帶的機率增加,導電率也相對提升,就為圖七的本質半導體,而藉摻雜磷或硼等元素,來提升矽導電率的半導體,則屬異質半導體。

異質半導體多摻雜磷或硼等元素,磷的價電子數為五,在與週遭矽原子分享電子鍵結後,自身的多餘電子易形成自由電子,進而提升矽導電率,且和磷摻雜濃度成正比,此類由電子主宰導電率的半導體屬N型。反觀三價的硼和週遭矽原子的鍵結,內部為缺一電子的空位,等同於帶一正電的電洞主宰了矽導電率,這種半導體就屬P型。現代二極體與太陽能板的主結構,即P型與N型半導體的結合,雙載子電晶體則是P-N-P或N-P-N。
矽說科技

P-N接面的工作原理如圖八。P-N接面形成時,P型半導體的電洞會往N型半導體擴散,而N型半導體的電子也會往P型移動,雙方電子電洞在經復合後消失,形成缺乏移動載子的空乏區。此時P型半導體帶負電,N型半導體帶正電,在接面形成一處靜電場,其間的電位差即內建電位,對電子或電洞而言,要進入這相同電性的區域,得先克服此電位能障。
如果能給予二極體順向偏壓,意同P型端施加正電壓,N型端施加負電壓,就可抵銷掉部分內建電位,促使P型區的高能電洞與N型區的高能電子,通過空乏區去形成電流。要是提供反向偏壓,反而會造成空乏區增寬與靜電場增強,讓反向電流更加難以通過,讓二極體具有整流功效。順道一提的是,在順向偏壓下遷移的電子或電洞,相遇產生的復合現象能將能量轉換為熱或光。一般的矽基二極體大多轉換為熱,能夠轉化為光的發光二極體,通常是三五族元素的化合物半導體,這便是發光二極體的原理。

另外,矽基二極體承受光照時,根據光的波粒二重性,光子能量大於矽能隙時,矽的電子會吸收入射光子的能量,由價電帶躍遷至導電帶,形成電子電洞對,然後在P-N接面的靜電場作用下分開,電子會往N型區移動,電洞則往P型區,接上電極後就可將電流導出,形成圖九的太陽能板電池。因為矽能隙僅1.1 eV,經過E = hν的換算,h是蒲朗克常數,ν為光頻率,矽吸收波長小於1127 奈米的光,這涵蓋了太陽光譜的部分紅外線,以及所有可見光和紫外線,所以適用於製作太陽能板,雖然單晶矽的光電轉換效率較好,但目前市面上以多晶矽太陽能板為主流,因為其製程便宜。
台灣經濟就這麼維繫在這粒粒細沙,區區一粒沙竟創造如此高的附加價值,自身擁有的時空更是寬廣無垠,底蘊的學識更為豐富。要在這當中學習的是師法自然,並從有限條件去發展無限可能,省思在自然生態與科技文明間,如何取得平衡點。現今地球暖化日趨嚴重,台灣擁有相當良好的半導體與光電產業背景,應當為這地球貢獻一份心力,且讓台灣成為一座發光發熱的綠色矽島吧!
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